发明名称 MEMSデバイス、MEMSスイッチ及びMEMSスイッチの製造方法
摘要 【課題】 伝送線路及び絶縁層との密着性が高いMEMSデバイス、MEMSスイッチ及びそのようなMEMSスイッチの製造方法を提供する。【解決手段】 高周波線路21と絶縁層24との間に、絶縁性を有し且つ絶縁層24よりも(高周波の)絶縁性が高い材料からなる薄膜密着層23が形成されている。高周波線路21及び絶縁層24の双方と密着する材料からなる薄膜密着層23を設けたことにより、高周波線路21と絶縁層24との密着性を従来よりも高いものとすることができる。その結果、高周波線路21と絶縁層24との間に漏れ経路が形成されることがない。【選択図】 図1
申请公布号 JP2017041304(A) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20150160500 申请日期 2015.08.17
申请人 国立大学法人東北大学;北陸電気工業株式会社 发明人 田中 秀治;森山 雅昭;佐々木 敬彦;小森 一哉;平木 利幸
分类号 H01H57/00;B81B3/00;B81C3/00;H01H49/00 主分类号 H01H57/00
代理机构 代理人
主权项
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