发明名称 |
MEMSデバイス、MEMSスイッチ及びMEMSスイッチの製造方法 |
摘要 |
【課題】 伝送線路及び絶縁層との密着性が高いMEMSデバイス、MEMSスイッチ及びそのようなMEMSスイッチの製造方法を提供する。【解決手段】 高周波線路21と絶縁層24との間に、絶縁性を有し且つ絶縁層24よりも(高周波の)絶縁性が高い材料からなる薄膜密着層23が形成されている。高周波線路21及び絶縁層24の双方と密着する材料からなる薄膜密着層23を設けたことにより、高周波線路21と絶縁層24との密着性を従来よりも高いものとすることができる。その結果、高周波線路21と絶縁層24との間に漏れ経路が形成されることがない。【選択図】 図1 |
申请公布号 |
JP2017041304(A) |
申请公布日期 |
2017.02.23 |
申请号 |
JP20150160500 |
申请日期 |
2015.08.17 |
申请人 |
国立大学法人東北大学;北陸電気工業株式会社 |
发明人 |
田中 秀治;森山 雅昭;佐々木 敬彦;小森 一哉;平木 利幸 |
分类号 |
H01H57/00;B81B3/00;B81C3/00;H01H49/00 |
主分类号 |
H01H57/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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