| 摘要 |
ゲート電極と、ゲート電極と間隔をあけたチャネル層と、チャネル層の一部を露出するチャネル保護層と、チャネル層の露出部でチャネル層と接するソース電極及びドレイン電極とをこの順に備え、チャネル層が酸化物半導体からなり、チャネル保護層の表面が、上面と、上面からチャネル層の露出部にかけて立ち下がる側面と、を含み、ドレイン電極が、チャネル層の露出部上からそれに続くチャネル保護層の側面に沿って伸長した立上部と、立上部に続き上面の一部上に延設された上面被装部と、を含み、上面被装部が、チャネル領域と対向する対向部を含み、対向部のチャネル長方向の長さが２．５μｍ以下であるＴＦＴ素子。 |
