薄膜トランジスタ装置とその製造方法、および表示装置

摘要

薄膜トランジスタ装置は、基板、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極、チャネル層、パッシベーション層を備える。チャネル層は、酸化物半導体材料からなり、パッシベーション層は、基板の側から第１層、第２層、および第３層を含む積層構成を有する。このうち、第１層は酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンの何れかからなり、第２層はアルミニウムの化合物からなり、第３層は酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンの何れかからなる。