发明名称 パワー半導体素子の駆動回路
摘要 パワー半導体素子1のゲート端子−エミッタ端子間への充電指令である電圧指令VGErefを生成する電圧指令生成部2、電圧指令VGErefとパワー半導体素子1のゲート端子−エミッタ端子間電圧との偏差電圧Verrを算出する減算器3、偏差電圧Verrが入力され、パワー半導体素子1のゲート端子に流すゲート電流を決めるゲート電流指令電圧VIGrefを算出するゲート電流制御器4と、ゲート電流指令電圧VIGrefを制限するゲート電流指令制限器19および、ゲート電流指令制限器19の出力である実ゲート電流指令電圧VIGoutが入力され、パワー半導体素子1のゲート端子にゲート電流を供給するゲート電流供給器を備える。
申请公布号 JPWO2014207811(A1) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20150523689 申请日期 2013.06.24
申请人 三菱電機株式会社 发明人 林 良知;小澤 正啓;田中 利貴
分类号 H02M1/08;H03K17/16;H03K17/56 主分类号 H02M1/08
代理机构 代理人
主权项
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