| 发明名称 |
Ｇａ２Ｏ３系結晶膜の形成方法 |
| 摘要 |
【課題】表面の平滑性に優れ、かつ導電型不純物のイオン注入により導電性に優れた領域が形成されるＧａ２Ｏ３系結晶膜を形成することのできるＧａ２Ｏ３系結晶膜の形成方法を提供する。【解決手段】一実施の形態として、（０１０）面を主面とするＧａ２Ｏ３系基板１０上に、５９０℃以上６５０℃以下の成長温度でアンドープのＧａ２Ｏ３系結晶膜１２をエピタキシャル成長させる、Ｇａ２Ｏ３系結晶膜の形成方法を提供する。【選択図】図９ |
| 申请公布号 |
JP2017041593(A) |
申请公布日期 |
2017.02.23 |
| 申请号 |
JP20150163703 |
申请日期 |
2015.08.21 |
| 申请人 |
株式会社タムラ製作所;国立研究開発法人情報通信研究機構 |
发明人 |
佐々木 公平;東脇 正高;ワン マンホイ |
| 分类号 |
H01L21/363;C30B23/08;C30B29/16;H01L21/20;H01L21/425 |
主分类号 |
H01L21/363 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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