| 发明名称 |
トリゲート・デバイス及び製造方法 |
| 摘要 |
【課題】 基板上に形成された上面及び左右両側の側壁を備えた半導体ボディを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート誘電体層が、半導体ボディの上面上及び半導体ボディの左右両側の側壁上に形成される。ゲート電極は、半導体ボディの上面上のゲート誘電体上に形成されると共に、半導体ボディの左右両側の側壁上のゲート誘電体に隣接して形成される。【選択図】 図３ |
| 申请公布号 |
JP2017041656(A) |
申请公布日期 |
2017.02.23 |
| 申请号 |
JP20160226687 |
申请日期 |
2016.11.22 |
| 申请人 |
インテル コーポレイション |
发明人 |
チャウ，ロバート;ドイル，ブライアン;カヴァリエロス，ジャック;バーレイジ，ダグラス;ダッタ，スーマン |
| 分类号 |
H01L29/786;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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