发明名称 低温基板上の薄膜を還元する方法
摘要 【課題】低温でも基板上に金属薄膜を還元形成する方法を提供。【解決手段】還元性金属化合物および還元剤を分散させた液体を基板上に薄膜として堆積させる。続いて、この薄膜を基板とともにパルス電磁放射線に曝露し、還元性金属化合物と還元剤とを化学的に反応させて、金属を還元析出させ、薄膜を導電性にする。薄膜において酸化還元反応を行うための活性化エネルギーを強力パルス光を用いて提供する方法であり、このレドックス反応は、有機化合物による金属酸化物の還元であってもよく、低温基板上で行ってもよい方法。【選択図】なし
申请公布号 JP2017039999(A) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20160156258 申请日期 2016.08.09
申请人 エヌシーシー ナノ, エルエルシー 发明人 デーブ エス. ポープ;カート エー. シュローダー;イアン エム. ローソン
分类号 C23C18/40;C22B5/04;C23C18/16;C23C18/31;C23C18/48;C23C20/04;C23C26/00;H01B13/00;H01L21/288;H05K3/12 主分类号 C23C18/40
代理机构 代理人
主权项
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