发明名称 半導体装置、電子部品、および電子機器
摘要 【課題】半導体素子の微細化に伴うリーク電流を低減し、電源電圧の供給の停止時のデータの保持期間を長くすることのできる半導体装置を提供すること。【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に有するトランジスタのオフ電流が低いことを利用してデータに応じた電荷を保持する構成において、データを読み出すトランジスタと、電荷を保持するためのトランジスタと、を別に設ける構成とし、ゲート絶縁膜におけるリーク電流を低減する構成とする。【選択図】図1
申请公布号 JP2017041877(A) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20160151288 申请日期 2016.08.01
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 青木 健;上妻 宗広;黒川 義元
分类号 H03K3/286;G11C11/405;G11C11/412;H01L21/82;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L27/06;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/11;H01L29/786 主分类号 H03K3/286
代理机构 代理人
主权项
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