| 摘要 |
半導体装置は、第１電極１２２を含む第１表面層１１２が設けられた第１基板１０１と、第２電極１４２を含む第２表面層１３２とを有し、第２表面層１３２を第１表面層１１２と接するようにして第１基板１０１と直接接合された拡張第２基板１０２と、第１基板１０１又は第２基板１３１を貫通する貫通電極１１３とを備えている。第２表面層１３２は、第２基板１３１及び樹脂部１３５により構成された拡張第２主面１７２Ａの上に設けられている。第２基板１３１の平面サイズは、第１基板１０１の平面サイズよりも小さく、第１電極１２２と第２電極１４２とは、互いに接して接続されている。 |
