半導体装置及びその製造方法

摘要

【課題】低温プロセスでも一方の絶縁膜と低誘電率の他方の絶縁膜との十分な密着強度を発揮し、高い電気特性を有する信頼性の高い高耐圧の半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置は、半導体層２と、半導体層２の表面を覆う第１の絶縁膜７と、第１の絶縁膜７の表面に形成されたカルボニル基を含有する第１の密着膜８と、第１の密着膜８の表面を覆う、第１の絶縁膜７よりも低誘電率の第２の絶縁膜９とを含む。【選択図】図４