| 摘要 |
【課題】先ダイシングを採用する場合の半導体デバイスの裏面に対して、生産性を悪化させることなく、個々のデバイスに対してダイボンド用樹脂を敷設するウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】本発明により、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの加工方法であって、個々のデバイスに分割されたウエーハの表面に該表面を保護する保護部材が配設される保護部材配設工程と、液状のダイボンド用樹脂をウエーハの裏面に塗布して固化させることによりダイボンド用の樹脂を個々のデバイスの裏面に敷設する樹脂敷設工程と、裏面に該樹脂が敷設された該デバイスをウエーハから分離する分離工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。【選択図】図４ |
