发明名称 半導体記憶装置及びメモリシステム
摘要 【課題】処理能力を向上できる半導体記憶装置及びメモリシステムを提供すること。【解決手段】実施形態に係るメモリシステムは、半導体記憶装置とコントローラとを備える。半導体記憶装置は、第1及び第2ビットに対応した第1及び第2ページを記憶可能な第1メモリセルアレイと、第1乃至第3キャッシュとを備え、第1コマンドに応じて、第1及び第2ページを書き込む。コントローラは、第1ページに対応する第1アドレス信号を送信する前に、第2ページに対応する第2アドレス信号を送信可能である。半導体記憶装置は、第1アドレス信号に応じて、第1ページを第2キャッシュに保持し、第2アドレス信号に応じて、第2ページを第3キャッシュに保持する。【選択図】図6
申请公布号 JP2017041287(A) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20150160623 申请日期 2015.08.17
申请人 株式会社東芝 发明人 常盤 直哉
分类号 G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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