| 摘要 |
半導体基板の表面及び裏面に異なる導電型の拡散層を有する太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の少なくとも一部の領域を被覆するように、不純物を含む拡散保護マスクを形成する工程と、前記半導体基板の少なくとも一部の領域を、不純物を含む拡散保護マスクで被覆した状態で、熱工程を含む拡散工程を実施し、前記拡散保護マスクで覆われた第１の領域に第１の不純物拡散層を形成するとともに、前記拡散保護マスクから露呈する第２の領域に、前記拡散保護マスクとは異なる不純物濃度或いは異なる導電性となる第２の不純物拡散層を形成する拡散工程を含む。 |
