发明名称 半導体装置および電子機器
摘要 【課題】単極性の論理回路を含む半導体装置などを提供する。【解決手段】容量素子を用いてゲート電圧を昇圧することで、論理回路の出力電圧の低下を防ぐ。第1トランジスタの、ドレインとゲートを第1配線と電気的に接続し、ソースを第1ノードと電気的に接続する。第2トランジスタの、ドレインを第1ノードと電気的に接続し、ソースを第2配線と電気的に接続し、ゲートを第2ノードと電気的に接続する。第3トランジスタの、ドレインを第3配線と電気的に接続し、ソースを第3ノードと電気的に接続し、ゲートを第1ノードと電気的に接続する。第4トランジスタの、ドレインを第3ノードと電気的に接続し、ソースを第4配線と電気的に接続し、ゲートを第2ノードと電気的に接続する。容量素子の、一方の電極を第1ノードと電気的に接続し、他方の電極を第3ノードと電気的に接続する。上記トランジスタにOSトランジスタを用いることが好ましい。【選択図】図1
申请公布号 JP2017041635(A) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 JP20160160535 申请日期 2016.08.18
申请人 株式会社半導体エネルギー研究所 发明人 松嵜 隆徳;大貫 達也
分类号 H01L29/786;H03K19/096 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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