複合基板およびその製造方法

摘要

絶縁性材料からなる単結晶の支持基板と、前記支持基板の上面に層状に配置された単結晶の半導体部とからなる複合基板である。前記支持基板と前記半導体部との接合面から前記半導体部側に向けた厚み５ｎｍの界面領域において、前記支持基板および前記半導体部の主成分を構成する材料を除く金属元素からなる金属と、Ａｒ，Ｎｅ，ＸｅおよびＸｒの不活性元素のいずれかとが含まれており、単位面積当たりの原子数で比較したときに前記不活性元素は、前記金属よりも多く、前記半導体部を構成する元素よりも少ないものである。