发明名称 Semiconductor storage device and method for throttling performance of the semiconductor storage device
摘要 반도체 저장 장치 및 상기 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법이 개시된다. 본 발명의 비휘발성 메모리 장치 및 상기 비휘발성 메모리 장치를 제어하는 컨트롤러를 포함하는 반도체 저장 장치의 성능 조절 방법은, 상기 반도체 저장 장치를 제1 성능 레벨에 따라 동작시키는 단계; 새로운 성능 레벨을 산출하는 단계; 상기 산출된 성능 레벨을 미리 정해진 기준과 비교하는 단계; 상기 비교 결과에 따라, 상기 산출된 성능 레벨을 제2 성능 레벨로 결정하는 단계; 상기 반도체 저장 장치를 상기 제2 성능 레벨에 따라 동작시키는 단계를 구비한다.
申请公布号 KR101702393(B1) 申请公布日期 2017.02.23
申请号 KR20100080699 申请日期 2010.08.20
申请人 삼성전자주식회사 发明人 윤한빈;우영재;이동기;문영국;권혁선
分类号 G06F13/16;G06F3/06 主分类号 G06F13/16
代理机构 代理人
主权项
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