| 发明名称 | 透明导电性膜的制造方法、透明导电性膜及电子器件 | ||
| 摘要 | 在本发明的透明导电性膜的制造方法中，首先，在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物层。接着，对化合物层赋予能量而将至少一部分的硅氮烷化合物转换为具有硅氧烷键的化合物来将化合物层进行改性。而且，在改性前的化合物层上、或改性后的化合物层上形成由银或以银为主要成分的合金形成了的金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN104246918B | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201380020474.6 | 申请日期 | 2013.04.15 |
| 申请人 | 柯尼卡美能达株式会社 | 发明人 | 竹村千代子 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;B32B7/02(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/04(2006.01)I;H05B33/26(2006.01)I;H05B33/28(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 贾成功 |
| 主权项 | 一种透明导电性膜的制造方法，其包含：在基材上形成含有硅氮烷化合物的化合物层；对所述化合物层赋予能量而将至少一部分的所述硅氮烷化合物转换为具有硅氧烷键的化合物来将所述化合物层进行改性；在改性前的所述化合物层上形成由银或以银为主要成分的合金形成、具有透明性的金属层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||