薄膜电容器制造方法、集成电路安装基板及配备有该基板的半导体装置

摘要

公开了一种制造电路基板中的薄膜电容器的方法，所述方法包括：第一电极形成步骤(图3(d))，用于在形成于支撑构件(31)的表面上的介电膜(12M)上以所需图案形成薄膜电容器的第一电极层(11)；基础材料形成步骤(图3(e))，用于在介电膜(12M)和第一电极层(11)上形成电路基板的绝缘基础材料(16)，以便埋设第一电极层(11)；去除步骤，用于去除支撑构件(31)，并且暴露介电膜(12M)的在与第一电极层(11)相反侧上的表面；介电图案化步骤，用于对介电膜(12M)图案化，以便留有与第一电极层(11)重叠的介电层，并且在介电层中形成第一通孔以便暴露第一电极层(11)的在介电层侧上的表面的一部分；以及第二电极形成步骤，用于形成薄膜电容器的第二电极层，以便与包括第一通孔的内部的介电层重叠。

主权项

一种制造电路基板中的薄膜电容器的方法，所述方法包括：介电膜形成步骤：在支撑构件的表面上形成介电膜；第一电极形成步骤：以所需图案在所述介电膜上形成所述薄膜电容器第一电极层；基础材料形成步骤：在所述介电膜和所述第一电极层上形成所述电路基板的绝缘基础材料，以便埋设所述第一电极层；去除步骤：去除所述支撑构件，并且暴露所述介电膜的在与所述第一电极层相反的一侧上的表面；介电图案化步骤：对所述介电膜图案化以便留有与所述第一电极层重叠的介电膜，并且在介电层中形成第一通孔以便暴露所述第一电极层的介电层侧上的表面的一部分；以及第二电极形成步骤：形成所述薄膜电容器的第二电极层，以便与包括所述第一通孔的内部的所述介电层重叠。