| 发明名称 | 薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列基板，显示器件，其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包括源漏电极结构的薄膜晶体管(TFT)，TFT阵列基板，显示器件，及其制备方法。本发明提供的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括形成源漏电极结构。形成源漏电极结构包括以下步骤：在溅射室内用含有金属元素的靶形成至少一层金属膜；导入一种气体进入所述溅射室与所述金属元素进行反应，以在所述至少一层金属膜上形成防反射层。 | ||
| 申请公布号 | CN106463407A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580017245.8 | 申请日期 | 2015.12.18 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 陆小勇;李栋;李小龙;龙春平 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 汪源;陈源 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成源漏电极结构，包括以下步骤：在溅射室内用含有金属元素的靶形成至少一层金属膜；以及导入一种气体进入所述溅射室与所述金属元素进行原位反应，以在所述至少一层金属膜上形成防反射层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||