防止铜扩散的电介质/金属阻挡体集成

摘要

描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。

主权项

一种用于形成互连件结构的方法，所述方法包括以下步骤：将基板定位在真空处理腔室中，其中所述基板包括具有暴露的表面的铜层和具有暴露的表面的低k电介质层；将金属层形成在暴露的铜表面上方，其中所述金属层包括钴化合物；以及将基于金属的电介质层形成在所述金属层上方并且形成在暴露的低k电介质表面的至少一部分上方，其中所述基于金属的电介质层包括铝化合物。