| 发明名称 | 外延碳化硅晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题在于，再现性良好地制造台阶聚并少且具有高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片。为了解决上述课题，在外延生长炉内的碳化硅单晶基板的蚀刻处理中使用氢气载气和硅系材料气体，在蚀刻处理结束后还在流入这些气体的状态下进行外延生长条件的变更，条件稳定后导入碳系材料气体，进行外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN106463364A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580026362.0 | 申请日期 | 2015.07.16 |
| 申请人 | 新日铁住金株式会社 | 发明人 | 蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 一种外延碳化硅晶片的制造方法，其是在外延生长炉内的碳化硅单晶基板上通过热CVD法使碳化硅外延生长，其特征在于，在外延生长炉内，导入作为载气的氢气和相对于所述载气为10<sup>‑4</sup>体积％以上且10<sup>‑2</sup>体积％以下的硅系材料气体，对碳化硅单晶基板的表面进行超过0.05μm且0.5μm以下蚀刻处理后，在供给所述载气和所述硅系材料气体的状态下变更所述外延生长炉内的外延生长条件，在所述外延生长条件稳定后，在供给所述载气和所述硅系材料气体的状态下进一步供给碳系材料气体，开始碳化硅的外延生长。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||