具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板及制造过程

摘要

本发明是有关于一种具有中空腔室的半导体封装结构及其下基板及制造过程，该具有中空腔室的半导体封装结构包含下基板、接合层及上基板，该下基板具有下底板及下金属层，该下金属层形成于该下底板的设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该第一外侧面的第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面的第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，该相交点、该第一端点及该第二端点形成的区域为该表面的第一显露区，该接合层形成于该下金属层，该上基板连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成中空腔室。本发明提供的技术方案可有效地避免污染并提高接合层表面共面性。

主权项

一种具有中空腔室的半导体封装结构，其特征在于其包含：下基板，具有下底板及下金属层，该下底板具有表面，该表面具有设置区、至少一个第一显露区及第二显露区，该设置区为封闭回路，且该设置区围绕该第二显露区，该下金属层形成于该设置区，该下金属层具有至少一个角隅，该角隅具有第一外侧面、第二外侧面及外连接面，该外连接面连接该第一外侧面及该第二外侧面，且该外连接面位于该第一外侧面及该第二外侧面之间，该第一外侧面具有第一底边，该第一底边具有第一端点，该第一端点延伸形成第一延伸线，该第二外侧面具有第二底边，该第二底边具有第二端点，该第二端点延伸形成第二延伸线，该第一延伸线及该第二延伸线相交形成相交点，连接该相交点、该第一端点及该第二端点所形成的区域为该第一显露区；接合层，形成于该下金属层上；以及上基板，具有接合表面，该接合表面连接该接合层，使该上基板及该下基板之间形成中空腔室。