| 发明名称 | 一种解决刻蚀腔体内静电吸盘表面颗粒污染的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种解决刻蚀腔体内静电吸盘表面颗粒污染的方法，包括：在晶圆刻蚀前进行无晶圆清洗刻蚀腔体；在无晶圆清洗刻蚀腔体之后，第一次通入第一工艺气体，同时从静电吸盘背面通入惰性气体与第一工艺气体在静电吸盘表面形成湍流反复清洗静电吸盘表面颗粒，使表面颗粒随气流抽出腔体；接着，通入第二工艺刻蚀气体对静电吸盘表面残留的颗粒进行微刻蚀；微刻蚀处理完成之后再次通入第一工艺气体，同时从静电吸盘背面通入大流量惰性气体与第一工艺气体在静电吸盘表面形成湍流反复清洗静电吸盘表面颗粒。 | ||
| 申请公布号 | CN106449366A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610993686.8 | 申请日期 | 2016.11.09 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 聂钰节;许进;唐在峰;任昱;吕煜坤 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种解决刻蚀腔体内静电吸盘表面颗粒污染的方法，其特征在于包括：在晶圆刻蚀前进行无晶圆清洗刻蚀腔体；在无晶圆清洗刻蚀腔体之后，第一次通入第一工艺气体，同时从静电吸盘背面通入惰性气体与第一工艺气体在静电吸盘表面形成湍流反复清洗静电吸盘表面颗粒，使表面颗粒随气流抽出腔体；接着，通入第二工艺刻蚀气体对静电吸盘表面残留的颗粒进行微刻蚀；微刻蚀处理完成之后再次通入第一工艺气体，同时从静电吸盘背面通入大流量惰性气体与第一工艺气体在静电吸盘表面形成湍流反复清洗静电吸盘表面颗粒。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||