发明名称 |
存储器编程方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置 |
摘要 |
本发明提供一种存储器编程方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置,用于可复写式非易失性存储器的实体抹除单元。本方法包括将第一数据串程序化至第一实体程序单元,其中第一实体程序单元是由此实体抹除单元的第一比特线组与实体抹除单元的第一字符线层交错处上的存储单元所构成。此外,本方法还包括在将第一数据串程序化至第一实体程序单元之后,将另一数据串程序化至另一实体程序单元,其中此另一实体程序单元是由此实体抹除单元的第一比特线组与此实体抹除单元的另一字符线层交错处上的存储单元所构成,能够在发生编程失败时,避免数据遗失。 |
申请公布号 |
CN106445404A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201510494662.3 |
申请日期 |
2015.08.13 |
申请人 |
群联电子股份有限公司 |
发明人 |
林纬 |
分类号 |
G06F3/06(2006.01)I |
主分类号 |
G06F3/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
马雯雯;臧建明 |
主权项 |
一种存储器编程方法,用于一可复写式非易失性存储器的一实体抹除单元,其特征在于,所述实体抹除单元包括多个字符线层与多个比特线组,该些比特线组沿一第一方向彼此分离开来排列,每一比特线组包括多条比特线,每一比特线组的该些比特线沿一第二方向延伸且沿一第三方向彼此分离开来排列,该些字符线层沿所述第二方向堆叠且该些字符线层之间彼此分离开来,并且每一字符线层与每一比特线组的每一比特线的交错处具有一存储单元,该些比特线组之中的任一个比特线组与该些字符线层之中的任一个字符线层交错处上的存储单元构成至少一实体程序单元,所述存储器编程方法包括:将一第一数据串程序化至所述实体抹除单元的至少一第一实体程序单元,其中所述至少一第一实体程序单元是由该些比特线组之中的至少一第一比特线组与该些字符线层之中的一第一字符线层交错处上的存储单元所构成;以及在将所述第一数据串程序化至所述至少一第一实体程序单元之后,将一另一数据串程序化至所述实体抹除单元的至少一另一实体程序单元,其中所述至少一另一实体程序单元是由该些比特线组之中的所述至少一第一比特线组与该些字符线层之中的一另一字符线层交错处上的存储单元所构成。 |
地址 |
中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号 |