发明名称 电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料及屏蔽电缆
摘要 本发明的课题是提供即使暴露在高温环境中,耐腐蚀性也难以降低的电磁波屏蔽用金属箔、电磁波屏蔽材料及屏蔽电缆。解决手段为电磁波屏蔽用金属箔10,其中,在由金属箔1构成的基材的一面或两面形成由Ni构成的基底层2,在该基底层的表面形成Sn‑Ni合金层3,Sn‑Ni合金层含有20~80质量%的Sn,在将Sn的总附着量记为T<sub>Sn</sub>[μg/dm<sup>2</sup>],将Sn‑Ni合金中Sn的比例记为A<sub>Sn</sub>[质量%],将Ni的总附着量记为T<sub>Ni</sub>[μg/dm<sup>2</sup>],将Sn‑Ni合金中Ni的比例记为A<sub>Ni</sub>[质量%]时,T<sub>Sn</sub>:500~91000μg/dm<sup>2</sup>,T<sub>Ni</sub>:2200~236000μg/dm<sup>2</sup>,170000≥{T<sub>Ni</sub>‑T<sub>Sn</sub>×(A<sub>Ni</sub>/A<sub>Sn</sub>)}≥1700。
申请公布号 CN106460219A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201480079441.3 申请日期 2014.05.30
申请人 JX金属株式会社 发明人 田中幸一郎
分类号 C25D7/06(2006.01)I;C23C28/02(2006.01)I;C23C30/00(2006.01)I;C25D5/12(2006.01)I;C25D5/50(2006.01)I;H05K9/00(2006.01)I 主分类号 C25D7/06(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 童春媛;杨思捷
主权项 电磁波屏蔽用金属箔,其中,在由金属箔构成的基材的一面或两面形成由Ni构成的基底层,在所述基底层的表面形成Sn‑Ni合金层,所述Sn‑Ni合金层含有20~80质量%的Sn,在将Sn的总附着量记为T<sub>Sn</sub>[μg/dm<sup>2</sup>],将Sn‑Ni合金中Sn的比例记为A<sub>Sn</sub>[质量%],将Ni的总附着量记为T<sub>Ni</sub>[μg/dm<sup>2</sup>],将Sn‑Ni合金中Ni的比例记为A<sub>Ni</sub>[质量%]时,T<sub>Sn</sub>:500~91000μg/dm<sup>2</sup>,T<sub>Ni</sub>:2200~236000μg/dm<sup>2</sup>,170000≥{T<sub>Ni</sub>‑T<sub>Sn</sub>×(A<sub>Ni</sub>/A<sub>Sn</sub>)}≥1700。
地址 日本东京都