| 发明名称 | 不使用穿硅通孔(TSV)将存储器管芯直接集成到逻辑管芯的方法 | ||
| 摘要 | 一种方法包括：形成包括设置于多个第一互连件与多个第二互连件之间的集成电路器件层的第一衬底；将包括存储器器件层的第二衬底耦合到所述第一衬底，以使得所述存储器器件层与所述多个第一互连件和所述多个第二互连件的其中之一并置；以及去除所述第一衬底的一部分。一种设备包括：器件层，所述器件层包括设置于衬底上的多个第一互连件与多个第二互连件之间的多个电路器件；存储器器件层，所述存储器器件层包括与所述多个第一互连件和所述多个第二互连件的其中之一并置并耦合的多个存储器器件；以及耦合到第一多个互连件中的一些互连件和第二多个互连件中的一些互连件的其中之一的接触点。 | ||
| 申请公布号 | CN106463467A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201480078905.9 | 申请日期 | 2014.06.16 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·W·纳尔逊;M·C·韦伯;P·莫罗;K·俊 |
| 分类号 | H01L23/12(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 林金朝;王英 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成第一衬底，所述第一衬底包括设置于多个第一互连件与多个第二互连件之间的集成电路器件层；将包括存储器器件层的第二衬底耦合到所述第一衬底，以使得所述存储器器件层与所述多个第一互连件和所述多个第二互连件的其中之一并置；以及去除所述第一衬底的一部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||