发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明中的半导体芯片具有位于芯片主体的元件形成面上的多个含焊料的电极。封装基板具有设置在主基板主体的表面上的一个或多个导电层和阻焊层。阻焊层在主基板主体的表面和一个或多个导电层上设置作为连续层,并且具有位于一个或多个导电层中的每个导电层上的一个或多个开口。多个含焊料的电极包括具有除了电源的功能之外的相同的功能的两个以上第一电极。一个或多个导电层包括连续的第一导电层。两个以上第一电极连接到连续的第一导电层。至少一个开口被设置为对应于相应的两个以上第一电极中的各个。
申请公布号 CN106463427A 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201580033434.4 申请日期 2015.06.05
申请人 索尼公司 发明人 村井诚;佐藤和树;山田宏行;高冈裕二;今井诚;天野茂树
分类号 H01L21/60(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 田喜庆;刘瑞贤
主权项 一种半导体装置,包括:半导体芯片;以及封装基板,所述半导体芯片安装在所述封装基板上,其中,所述半导体芯片包括芯片主体和设置在所述芯片主体的元件形成面上的多个含焊料的电极,所述封装基板包括基板主体、一个或多个导电层和阻焊层,所述一个或多个导电层和所述阻焊层被设置在所述基板主体的前表面上,所述阻焊层在所述基板主体的所述表面和所述一个或多个导电层上被设置为连续层,并且所述阻焊层具有位于所述一个或多个导电层中的每个导电层上的一个或多个开口,所述多个含焊料的电极包括具有除了电力供给功能之外的相同的功能的两个以上第一电极,所述一个或多个导电层包括连续的第一导电层,所述两个以上第一电极连接到所述连续的第一导电层,并且所述一个或多个开口面向相应的两个以上第一电极设置。
地址 日本东京