| 发明名称 | 非易失性存储器设备、编程方法和其编程验证方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了非易失性存储器设备和编程方法和其编程验证方法。一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，包括：关于第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值，并且将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败。当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，执行用于第二阶段的第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值。将第二失败位累积值与第二参考值相比较以确定编程失败。第二失败参考值不同于第一失败参考值。 | ||
| 申请公布号 | CN106448733A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610665846.6 | 申请日期 | 2016.08.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林惠镇;尹盛远;朴一汉 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 钱大勇;张泓 |
| 主权项 | 一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，该方法包括：关于多个级中的第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值；将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败；当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，关于级中的第二级执行第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值；以及将第二失败位累积值与第二失败参考值相比较以确定编程失败，其中，将关于多个存储单元的验证读取结果划分到级中，并且其中第二失败参考值不同于第一失败参考值。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||