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Un aspect de l'invention concerne un procédé de programmation d'un réseau de neurones artificiels ayant une pluralité de synapses, chaque synapse comportant une unique mémoire vive résistive ayant des première et deuxième électrodes de part et d'autre d'une zone active, le procédé comportant les étapes suivantes :
- une étape de détermination d'un nombre N d'intervalles de conductance, avec N un entier naturel supérieur ou égal à 3 ;
- pour chaque mémoire vive résistive :
o une étape de choix d'un intervalle de conductance parmi les N intervalles de conductance précédemment déterminés ;
o une étape i) d'application d'une impulsion de tension d'un premier type entre les première et deuxième électrodes de ladite mémoire vive résistive, et de lecture d'une valeur de conductance de ladite mémoire vive résistive ;
o si ladite valeur de conductance n'appartient pas à l'intervalle de conductance précédemment choisi, une étape ii) d'application d'une impulsion de tension d'un deuxième type entre les première et deuxième électrodes de ladite mémoire vive résistive et de lecture d'une valeur de conductance de ladite mémoire vive résistive ;
o si ladite valeur de conductance n'appartient pas à l'intervalle de conductance choisi, une étape selon laquelle on réitère l'étape i), les étapes i) et ii) étant répétées jusqu'à ce que la valeur de conductance de la mémoire vive résistive appartienne à l'intervalle de conductance choisi. |
