深沟槽多层光刻覆盖结构及其光刻覆盖方法

摘要

本发明提供一种深沟槽多层光刻覆盖结构及其光刻覆盖方法，解决使用光刻胶对深沟槽进行覆盖时，台阶覆盖不良以及显影不良的问题。本发明硅片经过沟槽刻蚀后，形成深度大于90um的沟槽，采用多次覆盖光刻胶对沟槽底部进行填充，确保在进行多次涂光刻胶后在沟槽和硅片平面结合的台阶处形成覆盖。并且由于第一次显影后留下的光刻胶在芯片表面的宽度宽于后面光刻留下的光刻胶宽度，将显影不良控制在第一层光刻胶的上面，保证在最后沟槽外侧的光刻胶图案不会产生缺失或残留。

主权项

一种深沟槽多层光刻覆盖结构，其特征在于，包括：一硅片，其上形成有深度大于90um的弧形沟槽；一底层光刻胶层，覆盖在所述弧形沟槽上方，以及所述弧形沟槽两侧的硅片平面上方；一上层光刻胶层，覆盖在所述底层光刻胶层上方；其中，所述底层光刻胶层在硅片表面的光刻胶宽度大于所述上层光刻胶层在硅片表面的光刻胶宽度。