发明名称 | 固态成像装置及其驱动方法 | ||
摘要 | 一种固态成像装置包括:多个像素。将每一像素布置在半导体基板的表层部分处,并且每一像素包括:将入射光转换成电荷的光电转换部;存储电荷并且布置在半导体基板中的电荷保持部;与电荷保持部电容耦合并且经由绝缘膜布置在半导体基板上的倍增栅电极;以及电荷阻挡部,所述电荷阻挡部布置在电荷保持部和绝缘膜之间并且杂质浓度高于半导体基板。 | ||
申请公布号 | CN104115271B | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
申请号 | CN201380008616.7 | 申请日期 | 2013.02.06 |
申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 立野善英;山城贵久;余乡幸明 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 韩宏;陈松涛 |
主权项 | 一种固态成像装置,包括:多个像素,其中,每一像素包括:具有第二导电类型的光电转换部,其布置在具有第一导电类型的半导体基板的表面的表层部分中,并且将入射在所述表面上的光转换为电荷;具有第二导电类型的电荷保持部,其存储所述光电转换部中产生的电荷,并被布置在所述半导体基板中;倍增栅电极,其与所述电荷保持部电容耦合,并经由绝缘膜布置在所述半导体基板上;以及电荷阻挡部,其被布置在所述电荷保持部和所述绝缘膜之间的在所述倍增栅电极和所述电荷保持部电容耦合的位置处,所述电荷阻挡部具有第一导电类型,并且所述电荷阻挡部的杂质浓度高于所述半导体基板的杂质浓度,所述电荷阻挡部使所述电荷保持部保持所述电荷,直到在将电压施加在所述倍增栅电极时所述半导体基板的厚度方向上的电场形成能够进行雪崩倍增的电场,并且在预定电压施加在所述倍增栅电极时所述电荷阻挡部在所述半导体基板的厚度方向上对所述电荷进行雪崩倍增。 | ||
地址 | 日本爱知县 |