| 发明名称 | 钽基欧姆接触 | ||
| 摘要 | 一种形成欧姆接触的方法，包括：在阻挡层的接触区形成Ta层；在第一Ta层上形成Ti层；和在Ti层上形成Al层；其中所述阻挡层包括AlGaN，其具有10％至40％的Al成分和<img file="DDA0001151731650000011.GIF" wi="107" he="60" />至<img file="DDA0001151731650000012.GIF" wi="131" he="59" />之间范围内的厚度；以及所述阻挡层在包含GaN的沟道层上。 | ||
| 申请公布号 | CN106463405A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201480078849.9 | 申请日期 | 2014.06.11 |
| 申请人 | 美国休斯研究所 | 发明人 | 玛丽·Y·陈;储荣明 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人 | 彭愿洁;彭家恩 |
| 主权项 | 一种形成用于场效应晶体管的欧姆接触的方法，其特征在于，包括：在阻挡层的接触区形成Ta层；在第一Ta层上形成Ti层；和在Ti层上形成Al层；其中所述阻挡层包括AlGaN，其具有10％至40％的Al成分和<img file="FDA0001151731620000011.GIF" wi="110" he="63" />至<img file="FDA0001151731620000012.GIF" wi="132" he="62" />之间范围内的厚度；以及其中所述阻挡层在包含GaN的沟道层上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州马里布市马里布峡谷路3011号 | ||