| 发明名称 | 一种MXene材料及其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公布了一种MXene材料及其制备方法和应用。通过HF水溶液刻蚀MAX相中的A原子层得到MXene，然后经阳离子水溶液进行离子交换获得阳离子插层的MXene材料，最后煅烧得到阳离子插层且表面修饰的MXene材料，其分子式为M<sub>n+</sub><sub>1</sub>M’<sub>x</sub>X<sub>n</sub>O<sub>y</sub>，其中M＝Ti、Nb、Ta、V、Mo、Cr和/或Zr；M’＝Li、Na、K、Mg和/或Al；X为C和/或N；n＝1、2或3；0≤x≤1.5，0≤y<2。经阳离子插层的MXene材料层间距增大，通过煅烧除去了表面吸附的F<sup>‑</sup>、OH<sup>‑</sup>基团，暴露更多的活性位点，研究表明该材料作为超级电容器和锂离子电池电极材料其质量比容量相比未经离子插层和表面修饰的MXene大大提高，且该材料在水污染处理、化学传感器、化学吸附领域有着潜在应用价值。 | ||
| 申请公布号 | CN106430195A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610898366.4 | 申请日期 | 2016.10.14 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 孙俊良;黎建 |
| 分类号 | C01B32/907(2017.01)I;C01B21/082(2006.01)I;H01G11/30(2013.01)I;H01M4/36(2006.01)I | 主分类号 | C01B32/907(2017.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 李稚婷 |
| 主权项 | 一种MXene材料，具有阳离子插层和表面修饰，其分子式为M<sub>n+1</sub>M’<sub>x</sub>X<sub>n</sub>O<sub>y</sub>，其中M原子层六方密堆积，X原子填充在八面体空位形成MX层，阳离子M’无序插入MX层板间，MX层板表面吸附的阴离子被除去；M选自下列元素中的一种或多种：Ti、Nb、Ta、V、Mo、Cr和Zr；M’选自下列元素中的一种或多种：Li、Na、K、Mg和Al；X为C和/或N；n＝1、2或3；0≤x≤1.5，0≤y<2。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||