一种具有放大器的氮化镓发光二极管结构

摘要

本实用新型提供一种具有放大器的氮化镓发光二极管结构。发光二极管包括：衬底、非掺杂GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区、P型氮化镓导电层、电流扩展层、P电极、高阻氮化镓沟道层、AlGaN势垒层、源电极、栅电极；本实用新型涉及具有集成放大电路的氮化镓基LED结构，避免了分离器件电路连接存在的寄生电容、电感，将控制LED通断的电极设计在芯片内部，可以有效改善发光器件整体的响应频率，提高基于氮化镓基LED的可见光通信速率。

主权项

一种具有放大器的氮化镓发光二极管结构，其特征在于从下至少依次包括衬底、氮化镓缓冲层的一部分、N型GaN导电层、多量子阱有源区、P型氮化镓导电层、电流扩展层、P电极；氮化镓缓冲层的另一部分往上依次设有高阻氮化镓沟道层、AlGaN势垒层；AlGaN势垒层上设有源欧姆电极和栅电极；所述二极管结构包含晶体管电流放大电路；电流放大电路由所述氮化镓缓冲层、AlGaN势垒层、源欧姆电极及栅电极组成。