发明名称 一种集成电流采样的新型整流桥
摘要 本实用新型涉及一种集成电流采样的新型整流桥,包括绝缘塑封外壳、五个引线脚、四个单向导电芯片和一个康铜丝,各引线脚的一端伸入绝缘封装外壳内,并分别与一铜基板连接,铜基板和单向导电芯片、康铜丝封装在绝缘封装外壳内,各铜基板之间相互隔开;所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片,玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极,其下端电极表面积大于上端电极表面积。本实用新型的芯片分布合理,四个芯片的大台面都与散热铜基板连接,有效增加了焊接面积和散热面积,有利于芯片工作时产生的热量迅速散发到铜基板上,从而有效降低芯片工作温度,提高产品可靠性,延长整流桥的工作寿命。
申请公布号 CN205984958U 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201620988501.X 申请日期 2016.08.31
申请人 佛山市顺德区瑞淞电子实业有限公司 发明人 徐海洪
分类号 H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H02M7/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 佛山市名诚专利商标事务所(普通合伙) 44293 代理人 卢志文
主权项 一种集成电流采样的新型整流桥,包括绝缘塑封外壳、五个引线脚、四个单向导电芯片和一个康铜丝,各引线脚的一端伸入绝缘封装外壳内,并分别与一铜基板连接,铜基板和单向导电芯片、康铜丝封装在绝缘封装外壳内,各铜基板之间相互隔开;所述四个单向导电芯片均为玻璃钝化低功耗二极管芯片,玻璃钝化低功耗二极管芯片的上下两端为电极,其下端电极表面积大于上端电极表面积,玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面与铜基板连接;铜基板设置有五个,绝缘封装外壳内分别对应五个铜基板设置有五个独立的腔室,其中,第一铜基板位于绝缘封装外壳左侧位置,第二铜基板和第三铜基板分别位于绝缘封装外壳中间下方和上方位置,第四铜基板位于第二铜基板右侧位置,第五铜基板位于第四铜基板右侧位置;五个引线脚从左到右分别为第一直流输出引线脚、第一交流输入引线脚,第二交流输入引线脚,第二直流输出引线脚,第一电流取样引线脚;第一、第二直流输出引线脚分别与第一铜基板和第四铜基板连接,第一、第二交流输入引线脚分别与第二铜基板和第三铜基板连接,第一电流取样引线脚与第五铜基板连接;第一玻璃钝化低功耗二极管芯片和第二玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面连接在第一铜基板两端,且第一、第二玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第二、第三铜基板电性连接;第三玻璃钝化低功耗二极管芯片和第四玻璃钝化低功耗二极管芯片通过其下端面分别连接在第二、第三铜基板上,且第三、第四玻璃钝化低功耗二极管芯片的上端面分别通过连接片与第四铜基板电性连接;康铜丝两端分别连接第四铜基板和第五铜基板。
地址 528300 广东省佛山市顺德区北滘镇坤洲工业区
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