| 发明名称 | 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器，该探测器包括SiO<sub>2</sub>/Si衬底(4)，所述SiO<sub>2</sub>/Si衬底(4)上的SiC纳米线(1)，包覆所述SiC纳米线(1)的石墨烯层(2)，所述SiC纳米线(1)和所述石墨烯层(2)纵向两端上的两端电极(3)，所述SiO<sub>2</sub>/Si衬底(4)背面的背栅电极(5)，以及分别在所述两端电极(3)和背栅电极(5)上的电极引线(6)。本发明提供了石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器技术，综合利用了SiC纳米线微腔结构增强光与SiC的相互作用、抑制光生载流子的复合并促进光生载流子的转移效率，以及石墨烯优良电子输运特性带来的对光生载流子的超快响应的优势。 | ||
| 申请公布号 | CN105633190B | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201410602352.4 | 申请日期 | 2014.10.31 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 郭丽伟;陈小龙;贾玉萍 |
| 分类号 | H01L31/102(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0312(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L31/102(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人 | 胡剑辉 |
| 主权项 | 一种石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器，该探测器包括SiO<sub>2</sub>/Si衬底(4)，所述SiO<sub>2</sub>/Si衬底(4)上的SiC纳米线(1)，包覆所述SiC纳米线(1)的石墨烯层(2)，所述SiC纳米线(1)和所述石墨烯层(2)纵向两端上的两端电极(3)，所述SiO<sub>2</sub>/Si衬底(4)背面的背栅电极(5)，以及分别在所述两端电极(3)和背栅电极(5)上的电极引线(6)。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||