发明名称 |
离子束处理方法和离子束处理装置 |
摘要 |
本发明的目的是提供即使对于精细图案也可以抑制再沉积膜的沉积的离子束处理方法和离子束处理装置。根据本发明的一个实施方式,进行离子束处理,以使得从基板上所形成的图案槽的延伸方向侧入射的离子束的蚀刻量大于从其它方向侧入射的离子束的蚀刻量。由此,抑制了再沉积膜沉积在精细图案的槽的底部上,以使得能够对精细图案进行加工。 |
申请公布号 |
CN104584196B |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201380044482.4 |
申请日期 |
2013.03.14 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 |
发明人 |
小平吉三;竹内功;中村美保子 |
分类号 |
H01L21/302(2006.01)I;G21K1/00(2006.01)I;G21K5/04(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/302(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
一种离子束处理方法,用于通过使用利用栅网从等离子体源所引出的离子束来对基板保持件上载置的基板进行处理,所述离子束处理方法包括以下步骤:在使位置相对于所述栅网倾斜的所述基板沿所述基板的面内方向转动的同时对所述基板进行离子束蚀刻的情况下,进行离子束处理,从而使从所述基板上所形成的图案槽的延伸方向侧入射的离子束的蚀刻量大于从其它方向侧入射的离子束的蚀刻量。 |
地址 |
日本神奈川县 |