发明名称 运用多导体硅通孔的三维螺线管式电感与变压器结构
摘要 本发明公开运用多导体硅通孔的三维螺母管式电感与变压器结构。运用多导体硅通孔构造的一种片上螺线管式电感元件,其特征在于金属线通过多导体硅通孔穿过基底,从而缠绕基底实现螺线管结构。类似地,本发明还提出了运用多导体硅通孔构造的螺线管式变压器元件。本发明运用虚设多导体硅通孔构造电感或变压器元件,减小芯片面积,同时相较于传感硅通孔,多导体硅通孔可在同一通孔中实现四根垂直互连,减小了硅通孔间距限制条件的影响,从而进一步减小占用面积;通过本发明所提出的螺线管式结构,可在多导体硅通孔中实现同向电流,并利用基底隔离顶部金属层和底部重新布局层间的异向电流,最大程度地提高互感值,从而提高整体性能。
申请公布号 CN104409441B 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201410617853.X 申请日期 2014.11.05
申请人 杭州电子科技大学 发明人 赵文生;郑杰;王高峰
分类号 H01L23/522(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01F17/00(2006.01)I;H01F19/04(2006.01)I 主分类号 H01L23/522(2006.01)I
代理机构 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人 杜军
主权项 一种运用多导体硅通孔实现的螺线管式电感元件,其特征在于由多个元件单元构成,电感元件的两端各设有一端口,所述的端口位于基底顶部的金属层M1;所述的元件单元包括位于基底顶部的金属层M1、两个多导体硅通孔、位于基底底部的重新布局层;第一多导体硅通孔内第一金属线的位于金属层M1端与相邻元件单元第二多导体硅通孔内第四金属线的位于金属层M1端连接,或作为一端口;第一多导体硅通孔内第二金属线的位于金属层M1端与第二多导体硅通孔内第三金属线的位于金属层M1端连接,第三金属线的位于金属层M1端与第二多导体硅通孔内第二金属线的位于金属层M1端连接,第四金属线的位于金属层M1端与第二多导体硅通孔内第一金属线的位于金属层M1端连接;第二多导体硅通孔内第四金属线的位于金属层M1端与相邻元件单元第一多导体硅通孔内第一金属线的位于金属层M1端连接,或作为一端口;第一多导体硅通孔内第一金属线的位于重新布局层端与第二多导体硅通孔内第一金属线的位于重新布局层端连接,第二金属线的位于重新布局层端与第二多导体硅通孔内第四金属线的位于重新布局层端连接,第三金属线的位于重新布局层端与第二多导体硅通孔内第三金属线的位于重新布局层端连接,第四金属线的位于重新布局层端与第二多导体硅通孔内第二金属线的位于重新布局层端连接。
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