一种LED芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片，包括：轴向依次设置的PSS衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层和保护层。本发明还提供一种LED芯片的制作方法。本发明中的芯片N、P电极之间设有直至PSS衬底的凹槽，通过凹槽的设计，在N、P电极之间形成了一些电流隔断层，阻挡了电流在N、P电极之间聚集，能够起到电流阻挡的作用，同时使电流横向扩展到其他区域，减少了电流积聚，能够使电流扩散更均匀，提高了LED芯片的热稳定性能的同时也能延长器件的使用寿命。

主权项

一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：沿轴线方向，依次将缓冲层设置在PPS衬底上、将N型半导体层设置在所述缓冲层上、将发光层设置在所述N型半导体层上、将P型半导体层设置在所述发光层上；采用电感耦合等离子体刻蚀切割道深槽和凹槽，所述刻蚀的工艺参数为：ICP功率为500W，RF功率为80W，腔体压力为5mtorr，BCl₃流量为10sccm，Cl₂流量为50sccm，刻蚀时间为25‑45min；清洗后，依次经过匀胶、软烤、曝光、显影、坚膜后采用电感耦合等离子体刻蚀形成芯片，所述刻蚀过程的工艺参数为：ICP功率为500W，RF功率为80W，腔体压力为5mtorr，BCl₃流量为10sccm，Cl₂流量为50sccm，刻蚀时间为5‑10min，取出放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片体表面的光刻胶洗净，冲水甩干；将透明导电层通过蒸发台或者溅射镀膜法镀在所述P型半导体层上，然后经过匀胶、软烤、曝光、显影以及坚膜后，用ITO蚀刻液腐蚀出图形，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面的光刻胶洗净，冲水甩干；将所述芯片经过匀胶、软烤、曝光、硬烤以及显影制作出图形，将P电极以及N电极分别通过蒸发台或者溅射镀膜法分别设置在所述透明导电层以及所述N型半导体层上，通过金属剥离的方法去除不需要金属的部分的金属，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面的光刻胶洗净，冲水甩干；将所述芯片的外部通过等离子体增强化学气相沉积法沉积出保护层，通过匀胶、软烤、曝光、显影以及坚膜后用BOE腐蚀出图形，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面上的光刻胶洗净，冲水甩干，得到芯片产品；其中，所述凹槽为设置在所述P电极和N电极之间，轴向直至所述PSS衬底的凹槽，该凹槽的横截面为圆形、椭圆形或正多边形；所述切割道深槽为位于所述N电极、P电极的横向延长线上，轴向延伸至所述PSS衬底。