一种对图形结构刻蚀能力的检测方法

摘要

本发明涉及电路缺陷的检测技术领域，尤其是涉及到一种对图形结构刻蚀能力的检测方法，通过提供特殊结构的半导体衬底并安放于晶圆的一切割道上后，在衬底上表面依次沉积一层底部抗反射涂层和多晶硅层后，采用光刻、刻蚀工艺，刻蚀该多晶硅层与底部抗反射涂层。然后在电子显微镜下来观察不同尺寸结构上的底部抗反射涂层的残留情况，从而分析出有源区不同尺寸对应的均匀性各异的底部抗反射涂层对图形的刻蚀能力，以及适合涂布底部抗反射涂层与后续的刻蚀工艺相适中最佳尺寸工艺窗口，并且通过长期的检测刻蚀能力来监控其工艺性能的稳定性、可靠性。

主权项

一种对图形结构刻蚀能力的检测方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一具有若干浅槽隔离结构的衬底，衬底上具有若干被浅槽隔离结构隔离开的有源区，一氧化隔离层覆盖在该衬底暴露的表面，所述浅槽隔离结构顶部平面均高于所述氧化隔离层的上表面；步骤S2、在所述衬底上表面由下至上依次制备一层底部抗反射涂层和多晶硅层，进行图案化工艺，保留位于所述浅槽隔离结构顶部的多晶硅层；步骤S3、检测所述有源区顶部是否残留底部抗反射涂层；其中，以对应工艺平台中有源区最小尺寸依次等比例放大形成所述若干有源区，若其中一有源区顶部未残留底部抗反射涂层，且相邻该有源区的另一有源区顶部残留底部抗反射涂层，说明顶部未残留有底部抗反射涂层的有源区尺寸为最佳刻蚀窗口。