一种TFT基板及其制造方法、液晶面板

摘要

本发明提供了一种TFT基板，所述源极、漏极上形成有第一绝缘层，在第一绝缘层上设有第一过孔，第一绝缘层上形成有透明电极，在透明电极上形成有第三绝缘层，第三绝缘层上形成有第三过孔，在第三绝缘层上形成有公共电极，在公共电极上设置有第二绝缘层，在第二绝缘层位于第三过孔上方设有第二过孔，第二绝缘层上设置有像素电极，像素电极经第二过孔、第三过孔与透明电极导通，像素电极、第二绝缘层和公共电极之间形成第一存储电容，公共电极、第三绝缘层和透明电极之间形成第二存储电容。本发明还公开一种制造方法以及液晶面板。与现有技术相比，达到了储存电容加倍，大大解决了高像素密度时储存电容偏小而引起的串扰和闪烁的电性问题。

主权项

一种TFT基板，包括基板、形成于基板上的栅极、源极、漏极(1)，其特征在于：所述源极、漏极(1)上形成有第一绝缘层(2)，在第一绝缘层(2)上设有第一过孔(3)，所述第一绝缘层(2)上形成有透明电极(4)，所述透明电极(4)经第一过孔(3)与漏极(1)导通，在透明电极(4)上形成有第三绝缘层(6)，所述第三绝缘层(6)上形成有第三过孔(5)，在第三绝缘层(6)上形成有公共电极(7)，在公共电极(7)上设置有第二绝缘层(8)，在第二绝缘层(8)位于第三过孔(5)上方设有第二过孔(10)，所述第二绝缘层(8)上设置有像素电极(9)，像素电极(9)经第二过孔(10)、第三过孔(5)与透明电极(4)导通，所述像素电极(9)、第二绝缘层(8)和公共电极(7)之间形成第一存储电容(11)，公共电极(7)、第三绝缘层(6)和透明电极(4)之间形成第二存储电容(12)，所述第一存储电容(11)与第二存储电容(12)并联。