| 发明名称 | 一种近红外光控存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种近红外光控存储器及其制造方法，所述近红外光控存储器包括：半导体层、浮栅层、介电层、栅极和基底；所述半导体层之上还设置有金电极；所述浮栅层由二氧化硅包覆荧光纳米颗粒组成。本发明所述的存储器在近红外光调控下，存储窗口得到增强，以此来实现多比特存储。相比常规的改进半导体层材料特性或增强浮栅层捕获载流子能力等方法，利用近红外光实时调控、增强存储窗口在信息加密领域有着良好的应用前景。近红外光调控方便高效，更可与常规方法相结合，从而获得高性能的存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN106449977A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610968813.9 | 申请日期 | 2016.10.27 |
| 申请人 | 深圳大学 | 发明人 | 周晔;韩素婷 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;G11C13/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种近红外光控存储器，其特征在于，包括：从上到下依次设置的半导体层、浮栅层、介电层、栅极和基底；所述半导体层之上还设置有金电极；所述浮栅层由二氧化硅包覆荧光纳米颗粒组成。 | ||
| 地址 | 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号 | ||