| 发明名称 | 基于MoS<sub>2</sub>量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基于MoS<sub>2</sub>量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS<sub>2</sub>量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。 | ||
| 申请公布号 | CN106449974A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201610899238.1 | 申请日期 | 2016.10.14 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 陈心满;王栋梁;冀凤振;匡鲤萍;李艳;章勇 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人 | 廖晓霞 |
| 主权项 | 一种基于MoS<sub>2</sub>量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器，其特征在于，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS<sub>2</sub>量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。 | ||
| 地址 | 510631 广东省广州市中山大道西55号光电子材料与技术研究所 | ||