发明名称 |
一种碳纳米管修饰电极的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及电化学领域,具体公开了一种碳纳米管修饰电极的制备方法及所述电极的应用。本发明通过乙二胺作为桥梁,成功实现碳纳米管在GCE上有序可控生长,形成单层碳纳米管阵列。本发明不使用任何酰胺化化学试剂,仅仅使用简单的电循环伏安法,将固态的碳纳米管以化学键合的方式键合在电极表面,合成单壁碳纳米管从(v‑SWCNT)到玻碳电极(GCE)。本发明所制备的电极对瘦肉精的检测灵敏度高,检测速度快,在pH为1的缓冲溶液中进行检测,瘦肉精的峰电流响应最佳。该修饰电极制备方法新颖,修饰材料简单,操作安全。 |
申请公布号 |
CN106442668A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610862849.9 |
申请日期 |
2016.09.28 |
申请人 |
北京农学院 |
发明人 |
朱洪;秦怡璠;张凯;田正顺 |
分类号 |
G01N27/30(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王文君 |
主权项 |
一种碳纳米管修饰电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)将玻碳电极在重铬酸钾溶液中用循环伏安法扫描1~20圈,扫描范围为0V~1.6V,扫描速度为0.1~0.5V/s;2)将步骤1)所得电极在乙二胺溶液中用循环伏安法扫描5~25圈,扫描范围为0V~2.0V,扫描速度为0.1~0.5V/s;3)将步骤2)所得电极在碳纳米管溶液中用循环伏安法扫描5~25圈,扫描范围为0V~2.0V,扫描速度为0.1~0.5V/s。 |
地址 |
102206 北京市昌平区回龙观镇北农路7号 |