单晶硅的生长方法

摘要

本发明提供一种单晶硅的生长方法，其特征在于，预先确定使得在后热工序中使单晶硅逐渐冷却时的、圆化部上的相当应力与临界分切应力的比值成为最大的直径，在圆化工序中，以使确定的直径的位置的晶格间氧浓度达到8.8×10¹⁷atoms/cm³(ASTM’79)以上这样的条件来生长圆化部。由此，在采用CZ法的单晶硅的制造中，能够抑制在圆化工序结束后、使结晶逐渐冷却的后热工序中，在单晶硅的圆化部发生滑移位错的情况，高效地生长大重量、大直径的单晶硅。

主权项

一种单晶硅的生长方法，其采用切克劳斯基法，使晶种与原料熔融液接触，在圆锥工序中生长扩径部，在直体工序中与所述扩径部连续地生长直体部，在圆化工序中使所述直体部的直径逐渐地缩径而形成圆化部，在从所述熔融液切出单晶硅后，在后热工序中使所述单晶硅逐渐冷却，从而生长单晶硅，所述单晶硅的生长方法的特征在于，预先确定使得在所述后热工序中使所述单晶硅逐渐冷却时的、所述圆化部上的相当应力与临界分切应力的比值成为最大的直径，在所述圆化工序中，以使所述确定的直径的位置的晶格间氧浓度达到8.8×10¹⁷atoms/cm³(ASTM’79)以上这样的条件来生长所述圆化部。