| 发明名称 | 发光元件 | ||
| 摘要 | 该发光元件至少设置有：形成在基板(11)的前表面上的第一光反射层(41)；层压结构(20)，形成在第一光反射层(41)上并且由第一化合物半导体层(21)、活性层(23)以及第二化合物半导体层(22)构成；以及形成在第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。层压结构(20)由多个层压结构单元(20A)构成，层压结构单元(20A)分别构成发光元件单元(10A)，并且发光元件单元(10A)中的共振器长度随着发光元件单元中的每一个而变化。 | ||
| 申请公布号 | CN106463909A | 申请公布日期 | 2017.02.22 |
| 申请号 | CN201580031408.8 | 申请日期 | 2015.04.17 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 滨口达史;风田川统之;泉将一郎;仓本大 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种发光元件，至少包括：第一光反射层，形成在基板的表面上；层压结构体，由形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层、活性层和第二化合物半导体层制成；以及第二电极和第二光反射层，形成在所述第二化合物半导体层上，其中，所述层压结构体由多个层压结构体单元构成，发光元件单元由所述多个层压结构体单元中的每一个构成，并且所述发光元件单元中的共振器长度在每个发光元件单元中是不同的。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||