发明名称 |
半导体装置的制造方法和半导体装置 |
摘要 |
半导体装置的制造方法包括:在半导体晶片中与设有焊料凸点的电路形成面相反侧的面贴附有第一粘合部件的状态下,沿着半导体晶片的切割区域,在电路形成面形成多个规定宽度的刻痕的工序;在电路形成面贴附第二粘合部件的工序;剥离第一粘合部件的工序;将半导体晶片单片化得到结构体的工序,结构体具备第二粘合部件和多个半导体芯片,多个半导体芯片相互隔开规定间隔地配置且焊料凸点的一部分贴附在第二粘合部件的粘合面,电路形成面露出;使处于流动状态的半导体密封用树脂组合物与多个半导体芯片接触,向多个半导体芯片之间的间隙填充树脂组合物并利用树脂组合物覆盖电路形成面、其相反侧的面和侧面进行密封的工序;使树脂组合物固化的工序。 |
申请公布号 |
CN106449436A |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201610663255.5 |
申请日期 |
2016.08.12 |
申请人 |
住友电木株式会社 |
发明人 |
光田昌也;渡部格 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳;吕秀平 |
主权项 |
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:在半导体晶片中与设有焊料凸点的电路形成面相反侧的面贴附有第一粘合部件的状态下,沿着所述半导体晶片的切割区域,在所述半导体晶片的电路形成面形成多个规定宽度的刻痕的工序;在将所述第一粘合部件贴附于形成有所述刻痕的所述半导体晶片的状态下,在所述半导体晶片的电路形成面贴附第二粘合部件的工序;在所述半导体晶片的电路形成面贴附有所述第二粘合部件的状态下,剥离所述第一粘合部件的工序;在贴附有所述第二粘合部件的状态下,将所述半导体晶片单片化,由此得到结构体的工序,该结构体具备所述第二粘合部件和贴附于所述第二粘合部件的粘合面的多个半导体芯片,多个所述半导体芯片相互隔开规定间隔地配置,且设于多个所述半导体芯片的电路形成面的焊料凸点的一部分贴附在所述第二粘合部件的粘合面,所述电路形成面露出;使处于流动状态的半导体密封用树脂组合物与多个所述半导体芯片接触,向多个所述半导体芯片之间的间隙填充所述半导体密封用树脂组合物,并且利用所述半导体密封用树脂组合物覆盖所述半导体芯片的电路形成面、与所述电路形成面相反侧的面和侧面进行密封的工序;和使所述半导体密封用树脂组合物固化的工序。 |
地址 |
日本东京都 |