发明名称 |
一种电子收集器实现方法 |
摘要 |
本发明涉及一种电子收集器实现方法,其特征在于包括以下内容:1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离,确定电子收集区域;2)根据收集效果,采用光学变换原理设定环形电子收集区域的三个电子迁移率值;3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率u<sub>r</sub>和环向电子迁移率u<sub>θ</sub>分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的迁移率分布;4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布,并依据电子迁移率与半导体掺杂杂质的关系,得到相应区域掺杂杂质的剂量分布;5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ<sub>0</sub>,计算得到C区域的掺杂杂质的剂量分布;6)根据环形电子收集区域的尺寸和A扇形区域、B扇形区域以及C区域的掺杂杂质的剂量分布,制作掩模板;7)利用离子注入方式在制作的掩模板上注入相应剂量的掺杂杂质,即制作得到一电子收集器。 |
申请公布号 |
CN104485274B |
申请公布日期 |
2017.02.22 |
申请号 |
CN201410817594.5 |
申请日期 |
2014.12.24 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
周济;兰楚文;李勃 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
徐宁;刘美丽 |
主权项 |
一种电子收集器实现方法,其特征在于包括以下内容:1)根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离,确定电子收集区域,具体过程为:1.1)采用半导体材料制作一基底,根据半导体材料光生载流子寿命及扩散距离,在基底上设置一环形电子收集区域,并将环形电子收集区域间隔分割成若干扇形区域;1.2)将所有扇形区域分别定义为A扇形区域和B扇形区域相间分布,环形电子收集区域以外的区域定义为C区域;2)根据收集效果,采用光学变换原理设定环三个电子迁移率值,其中,三个电子迁移率值分别为环形电子收集区域周围的电子迁移率μ<sub>0</sub>,环形电子收集区域的径向电子迁移率μ<sub>r</sub>为以及环形电子收集区域的环向电子迁移率μ<sub>θ</sub>;3)根据设定的环形电子收集区域的径向电子迁移率μ<sub>r</sub>和环向电子迁移率μ<sub>θ</sub>分别得到A扇形区域和B扇形区域所对应的迁移率分布;4)根据计算得到的A扇形区域和B扇形区域的电子迁移率分布,并依据电子迁移率与半导体掺杂杂质的关系,得到环形电子收集区域的A扇形区域和B扇形区域的掺杂杂质的剂量分布;5)根据环形电子收集区域周围的电子迁移率μ<sub>0</sub>,通过半导体迁移率大小和半导体掺杂杂质的大小的关系,计算得到C区域的掺杂杂质的剂量分布;6)根据环形电子收集区域的尺寸和A扇形区域、B扇形区域以及C区域的掺杂杂质的剂量分布,制作掩模板;7)利用离子注入方式在制作的掩模板上注入相应剂量的掺杂杂质,即制作得到一电子收集器。 |
地址 |
100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |