具有凹陷的合并鳍片和用于增强应力耦合的衬里的SOI鳍片FET

摘要

鳍片FET和用于制造具有凹陷的应力衬里的鳍片FET的方法。一种方法包括提供具有鳍片的SOI衬底，在所述鳍片上形成栅极，在所述栅极上形成偏移隔离物，外延生长膜以合并所述鳍片，在所述栅极周围沉积虚设隔离物，以及使得合并的外延膜凹陷。然后在所述凹陷的合并外延膜上形成硅化物，之后在鳍片FET上沉积应力衬里。通过使用凹陷合并外延工艺，可以形成具有垂直(即，垂直于衬底)硅化物的MOSFET。所述垂直硅化物改善了扩展电阻。

主权项

一种制造MOSFET的方法，包括：提供具有多个鳍片的衬底；在所述衬底之上形成栅极叠层，其中所述栅极叠层具有至少一个侧壁；与所述栅极叠层侧壁相邻地形成偏移隔离物；生长外延膜，所述外延膜合并所述鳍片以形成外延合并层；与所述偏移隔离物的至少一部分相邻地形成虚设隔离物；去除所述外延合并层的一部分以形成外延合并侧壁和外延合并隔离物区域；用所述外延合并侧壁形成硅化物以形成侧壁硅化物；以及在所述衬底之上沉积应力衬里。