发明名称 一种发光二极管及其制造方法
摘要 本发明公开一种新型结构的发光二极管,包括透明基板、外延片、第一电极和第二电极,所述外延片依次包括n型欧姆层、n型粗化层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型粗化层、p型欧姆层,所述n型欧姆层端面的面积小于n型粗化层端面的面积,所述p型欧姆层端面的面积小于p型粗化层端面的面积,外延片靠p型粗化层和p型欧姆层的一侧通过透明导电胶层粘接在透明基板上,第一电极连接在n型欧姆层上,第二电极连接在透明导电胶层上,所述n型粗化层和p型粗化层的外表面经腐蚀液蚀刻成凹凸状;所述p型欧姆层的外端面还镀有合金层;本发明还公开上述发光二极管的制造方法;本发明有效降低发光二极管内部全反射造成出射光的损耗,提高了出光效率。
申请公布号 CN103715324B 申请公布日期 2017.02.22
申请号 CN201410000665.2 申请日期 2014.01.02
申请人 厦门乾照光电股份有限公司 发明人 杨凯;白继锋;林志伟;陈凯轩;黄尊祥;王向武
分类号 H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/22(2010.01)I
代理机构 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 代理人 方惠春
主权项 一种发光二极管,包括透明基板、外延片、第一电极和第二电极,所述外延片依次包括n型欧姆层、n型粗化层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型粗化层、p型欧姆层,其特征在于:所述n型欧姆层端面的面积小于n型粗化层端面的面积,所述p型欧姆层端面的面积小于p型粗化层端面的面积,外延片靠p型粗化层和p型欧姆层的一侧通过透明导电胶层粘接在透明基板上,第一电极连接在n型欧姆层上,第二电极连接在透明导电胶层上,所述n型粗化层和p型粗化层的外表面经腐蚀液蚀刻成凹凸状;所述外延片沿中间蚀刻有隔离道,通过隔离道把外延片分成两部分,第一电极连接在外延片第一部分的n型欧姆层上,第二电极包覆外延片第二部分并与透明导电胶层相连接。
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